6月18日，据《日经亚洲》援引业内知情人士消息，AI算力需求持续爆发，台积电先进制程产能被头部客户长期锁定，排产空间紧张，谷歌、AMD、比亚迪、特斯拉等科技与车企巨头陆续和三星电子洽谈先进芯片代工合作，推进供应链多元化布局。当前台积电3nm、2nm高端产能基本被苹果、英伟达、AMD、博通等大客户长期包下，新增订单、中小批量需求很难拿到充足排期。国内车用芯片企业高管表示，台积电优先供给高利润先进制程

6月16日韩媒ETNews披露，三星半导体正全力落地数据共享生态平台DSEP，计划在2030年打造全流程无人晶圆厂，以此降低人力依赖，削弱工会罢工带来的谈判主动权。DSEP是三星自研半导体数据协同系统，工厂实时工艺数据可同步开放给设备合作厂商，所有数据汇入AI模型完成智能分析与生产决策。平台搭载远程故障诊断、良率优化、缺陷检测功能，还能解锁以往受安全管控限制的新工艺，大幅缩减厂区现场技术人员在岗需

6月10日，据韩国经济日报业内知情人士爆料，伴随全球AI芯片需求持续爆发，三星电子加码本土产业链布局，计划于韩国光州投建一座全新先进半导体封装工厂。据悉该项重磅投资计划，大概率将于6月29日韩国总统会谈中正式官宣。本次会议聚焦韩国经济增长战略转型，三星会长李在镕、SK集团会长崔泰源等头部企业负责人均将出席。针对建厂传闻，三星官方暂未予以回应，韩国总统办公室也表示企业投资决策由企业自主敲定。当前AI

6月1日，全球存储格局迎来重大变动。根据权威机构S&PGlobalMobility发布的年度报告，三星电子正式超越美光，终结对方长期垄断态势，成功登顶全球车载存储市场第一大供应商，改写车载存储行业竞争格局。核心市场数据变动十分直观，2025年三星电子全球车载存储市占率达到40%，相较2024年的35%大幅提升5个百分点。此消彼长之下，长期稳居行业第一的美光市占率从往年40%下滑至2025年

三星电子DS部门前负责人、现任行业顾问Kye-hyunKyung公开发声，对后续存储市场走势作出明确预判，受中国存储产业大规模扩产影响，存储芯片价格或将在2027年下半年迎来回落拐点。本轮存储涨价核心驱动力来自AI产业爆发，AI服务器对高带宽存储器HBM的刚需激增，直接拉动全品类存储芯片价格持续走高。数据显示，截至2026年5月，德国市场DDR5内存价格较2025年7月暴涨414%，涨价幅度十分惊

5月6日，全球科技产业爆出双重重磅消息。苹果正积极探索芯片供应链多元化，计划与英特尔、三星电子合作，在美国生产核心处理器芯片；同日，三星电子市值突破1万亿美元，成为继台积电之后亚洲第二家迈入此行列的企业。据知情人士透露，苹果已与英特尔、三星就生产设备主处理器展开探索性讨论。苹果高管已实地考察三星在美国得克萨斯州的在建芯片工厂，并与英特尔就代工服务进行初步洽谈。目前谈判尚处早期，未达成任何实质订单。

存储市场迎来猛烈涨价风暴，随着固态硬盘（SSD）需求持续升温，新一波涨价潮正式席卷全场，两大行业巨头同步发力，带动市场报价全面走高。行业龙头三星电子已正式通知渠道商，旗下全系列SSD产品价格上调逾10%；另一大存储巨头金士顿紧随其后，本周起全面执行调价，旗下全系列SSD价格至少上涨10%，无一款产品幸免。市场普遍预期，作为存储行业的标杆企业，三星与金士顿的协同调价，必将引发行业连锁效应，带动整个S

三星电子正启动生产线全面改造，重磅宣布计划出售123台闲置半导体制造设备，覆盖韩国与中国西安两大生产基地，核心目的是淘汰老旧设备、回笼资金，全力转向更先进的工艺技术，抢占高端半导体市场先机。目前，三星已正式启动公开招标，此次出售设备分为两大板块：韩国工厂37台、中国西安工厂86台，清晰折射出三星优化产能结构、聚焦先进制程节点的战略决心，老旧设备的淘汰的同时，资金将全部重新投入高端制程研发与生产。韩

3月30日消息，据韩媒ETNEWS报道，三星电子位于中国西安的NAND晶圆厂，近期成功完成工艺制程升级，正式实现V8（236L）3DNAND闪存量产，标志着其在高端存储领域的产能与技术再获突破。作为三星韩国本土外重要的半导体生产基地，西安晶圆厂此次工艺升级始于2024年，核心目标是改造原有V6（128L）NAND生产线，进一步提升产品性能与生产效率，强化产能竞争力，精准匹配AI时代对高性能存储设备

3月24日，三星在先进晶圆代工领域迎来关键突破，其2纳米工艺良率正式突破60%，凭借极快的爬坡速度追平行业头部水准，彻底扭转此前低良率困境，同时打开低成本量产高性能芯片、抢占全球客户订单的全新格局。据韩媒Hankyung最新报道，三星2nm工艺良率实现跨越式增长，短短两个季度内良率暴涨两倍有余。去年下半年，该工艺良率仅维持在20%左右，晶圆有效产出极低，量产能力远不及预期；如今直接跃升至60%以上

3月23日，全球晶圆代工领域的氮化镓（GaN）布局迎来重大反转，代工龙头台积电正式确定退出节奏，计划2027年全面终止氮化镓（GaN）晶圆生产；与此同时，三星电子强势切入这一赛道，将GaN业务视作功率半导体核心增长点，全力推进专属产线落地。据韩媒THEELEC3月19日最新报道，三星半导体的GaN产线筹备已进入收尾阶段，首条8英寸GaN生产线最快2026年第二季度投产，较此前2025年投产的规划略

3月17日，三星电子在当日举行的NVIDIAGTC2026大会上，全面展示了其在AI计算领域的完整技术布局，彰显全球半导体龙头的硬实力。作为全球唯一一家能够提供涵盖内存、逻辑、晶圆代工及先进封装在内的完整解决方案的半导体厂商，三星此次集中展出了从高性能内存到个人设备低功耗解决方案的全系产品，覆盖多场景需求。在个人设备领域，三星展示了针对本地工作负载优化的内存解决方案，包括为NVIDIADGXSpa

1月30日，韩国科技巨头三星公布2025年第四季度财报，业绩迎来爆发式增长：营收达93.8万亿韩元（约合人民币4534.68亿元），营业利润达20.1万亿韩元，同比分别增长23.8%和209%，两项数据均创下季度历史新高。芯片部门成为绝对增长引擎，单季度贡献16.4万亿韩元营业利润，同比暴增465%，领跑集团整体增长，占据集团近八成营业利润份额。这一亮眼表现得益于芯片需求复苏，尤其是AI服务器催生

据韩国权威行业媒体最新披露，三星电子第一季度将NAND闪存供应价格上调超过100%，涨幅远超此前市场预期，凸显当前半导体市场供需严重失衡的现状。消息人士透露，三星已于去年底完成与主要客户的供应合同谈判，并自1月起正式执行新的价格体系。这是继此前DRAM内存价格上调近70%后，存储市场迎来的又一次剧烈价格波动。报道进一步指出，三星已开始与客户就第二季度NAND价格展开新一轮谈判，市场普遍预期涨价势头

CES2026拉斯维加斯展会现场，三星电子抛出震撼行业的信号：内存芯片供应短缺将全面推高电子产品价格，就连三星自身的消费产品也难以幸免。三星总裁兼全球营销主管WonjinLee在接受采访时直言：“半导体供应问题会影响到所有人，价格现在就在上涨。我们不愿把负担转嫁给消费者，但最终不得不考虑重新调整产品价格。”这场涨价潮的核心推手，是AI数据中心建设热潮催生的高带宽内存（HBM）需求爆发。这类高利润产

近日，三星计划下月正式重启韩国平泽P5晶圆厂建设，这座总投资超30万亿韩元（约合220亿美元）的超级工厂预计2028年投产，将聚焦AI时代核心的高端存储与晶圆代工业务，剑指全球半导体市场竞争。作为三星平泽园区的第五座晶圆厂，P5项目的重启历经波折。该项目最早于2023年启动基础工程，却因2024年存储芯片市场低迷而暂停。如今随着AI服务器需求爆发，高带宽内存（HBM）、先进DRAM等产品需求激增，

1月2日，美国半导体企业Netlist正式宣布，美国国际贸易委员会（ITC）已于2025年12月30日投票决定，对三星电子及其下游客户谷歌、SuperMicro展开专利侵权调查。这一调查直指三星当前最核心的HBM（高带宽内存）与DDR5内存产品，若最终认定侵权成立，相关产品或将被禁止进口至美国市场，对全球存储供应链格局产生重大影响。此次发起诉讼的Netlist并非无名之辈，这家成立于2000年、总

据知情人士透露，美国政府已正式向三星电子、SK海力士颁发年度许可证，允许两家企业在2026年向其中国工厂出口芯片制造设备，这一消息为持续紧绷的全球半导体产业链带来阶段性利好。此前，三星、SK海力士及台积电长期受益于美国对华芯片出口限制的**“经验证最终用户（VEU）”豁免政策**，可无需单独申请许可即可进口美国管制的芯片设备。但美国今年早些时候撤销了相关豁免，VEU特权于2025年12月31日正式

全球内存短缺叠加价格飙升，让原本计划退场的DDR4内存迎来“第二春”。三星电子与SK海力士正式宣布，撤回今年年底停产DDR4内存的计划，将生产持续至2026年；其中SK海力士更因客户订单暴增，决定提高中国无锡工厂的DDR4产能，抢占高利润市场。据悉，两家巨头原本规划在2024年底至2026年初逐步停止DDR4出货，但近期市场格局突变促使其调整策略。当前全球DDR4供应缺口持续扩大，价格已逆势反超D

全球移动芯片行业迎来里程碑突破，三星正式推出全球首款量产2nm移动SoC芯片Exynos2600，基于先进的GAA（环绕栅极）工艺打造，将首发搭载于明年推出的GalaxyS26系列旗舰设备，率先拉开2nm手机时代序幕。这款10核ARM架构芯片性能全面跃升，CPU性能较前代提升39%，NPU算力暴涨113%，可高效处理大规模设备端AI任务；GPU采用最新Xclipse设计，图形性能翻倍，光线追踪能力

12月16日，三星电子与三星先进技术研究院在IEEE国际电子器件会议上重磅宣布，成功研发出10nm以下DRAM内存制造技术，为AI、数据中心等高算力场景的存储需求突破提供了核心支撑，再度刷新行业技术天花板。此次突破的核心在于创新的单元-外围电路（CoP）架构。不同于传统技术将外围晶体管置于存储单元下方的设计，三星采用存储单元堆叠在了你外围电路之上的全新方案，从根源上解决了传统架构中晶体管在高温堆叠

三星半导体代工业务迎来关键转机。此前被视作“发展噩梦”的4nm制程工艺逐步企稳，最新消息显示其良率已大幅提升至60%~70%。这一核心突破直接为三星赢得重磅订单——美国AI公司TsavoriteScalableIntelligence已敲定合作，预订价值超1亿美元的全能处理单元（OPU）芯片。此前，良率不佳一直是三星4nm制程的致命短板，不仅制约业务推进，更导致部分订单流失至竞争对手台积电。如今老

显存技术领域再迎颠覆性突破！12月5日消息，据《韩国时报》报道，三星在首尔举行的2025年度韩国科技节上，重磅展示了速率高达40Gbps的GDDR7显存。这款单颗容量为3GB（24Gb）的新品，凭借顶尖性能斩获“总统级表彰”，成为本次科技节的焦点之一。这款获奖显存的核心竞争力源于底层技术革新。它采用三星12nmDRAM制程工艺（性能相当于10nm级别），更搭载了三电平PAM3信号编码技术——区别于

11月27日，三星电子一则组织架构调整公告搅动全球存储市场——成立仅一年多的HBM（高带宽内存）特别开发团队正式解散，相关人员与研发业务全部并入DRAM开发部门旗下的设计团队。韩媒BusinessKorea于11月28日披露，这一变动在三星高管通报会上正式官宣，标志着其HBM业务从“应急攻关”阶段迈入“常态化发展”新阶段。此次调整的核心脉络清晰可见：原HBM团队负责人孙永秀副社长，将出任DRAM部

11月26日，据韩媒TheElec报道，韩国半导体设备商DI正式宣布，已与三星电子中国苏州工厂达成一份价值191亿韩元（约合9189万元人民币）的设备采购合同，核心为供应DDR5内存专用老化测试设备，这一合作将直接加速三星DDR5内存的产能释放。此次交易的推进效率备受关注。根据合同条款，DI公司预计将在12月内全额收回款项，这一明确的付款节点不仅体现了三星对设备需求的迫切性，也彰显了双方对合作的高

11月22日，手机芯片圈传来重磅消息：三星明年上半年登场的GalaxyS26系列，将搭载全球首款2nm手机芯片——Exynos2600，更关键的是，这颗旗舰芯片的采购价有望比高通骁龙8E5（第五代骁龙8至尊版）低20-30美元，性价比优势直接拉满。根据曝光信息，GalaxyS26系列仍将推出GalaxyS26、S26+和S26Ultra三款机型，但芯片配置有所区分。其中，GalaxyS26与S26

存储市场格局生变。11月19日，据行业消息披露，三星电子正对存储业务进行重大战略转向：在DRAM价格两个月暴涨60%的红利期，全力加码通用型DRAM产能以抢占利润高地，同时暂缓高带宽存储器（HBM）的扩张计划。这一“弃长就短”的决策，直指“盈利最大化”的核心目标。当前DRAM市场的火爆行情，成为三星战略倾斜的直接诱因。DDR5、LPDDR5X、GDDR7等主流产品价格持续攀升，以三星32GBDDR

三星在先进制程赛道终于迎来关键突破。据韩国媒体报道，其2nm制程良率已提升至50%~60%，距离年底量产目标更近一步。更具冲击力的是，中国两大矿机巨头比特微电子（MicroBT）与嘉楠科技（Canaan）已敲定合作，将采用三星2nm制程开发下一代矿机芯片，为三星先进制程代工业务注入强心剂。作为三星晶圆代工的战略级技术，2nm制程延续了3nm上率先应用的环绕栅极（GAA）晶体管架构，但性能与能效的实

据国外媒体报道，分析师和研究机构普遍预计，未来两年将有多款MR或XR设备推出，就包括了传闻已久的苹果头显，预计会在明年一季度开始量产，其他还包括索尼PlayStationVR2、谷歌头显。XR设备大量推出，全球XR设备市场的规模，在未来几年预计也将持续增长，相关的零部件厂商也在为这一市场的增长做准备，以供应合适的零部件，进而占得先机。外媒最新的报道就显示，三星显示和LG显示这两大面板制造商，就都在